سال انتشار: ۱۳۹۴
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی ریاضیات صنعتی
تعداد صفحات: ۵
نویسنده(ها):
بهروز محبوبی – دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان
داریوش دیدبان – استادیار گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه کاشان

چکیده:
با پیشرفت تکنولوژی مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس های نانومتری، تغییرات آماری تصادفی افزاره ها به علت محدودیت در تکنولوژی ساخت و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشمگیری افزایش پیدا کرده است. افزایش این تغییرات باعث تغییر در مشخصه های خروجی مدار می شود. در این مقاله سعی شده است که به کمک شبیه سازی یک مدار تقویت کننده الکترونیکی و استفاده از ۱۰۰۰ مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در تکنولوژی ۳۵ نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز بصورت گرافیکی نمایش داده شود. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حائز اهمیت فراوانی است.