سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: دومین کنفرانس ملی مهندسی برق

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

جهانگیر باقری – دانشکده مهندسی کنترل- دانشگاه برادفورد
امیر حسین پورجم – دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه آزاد اسلامی واحد خمینی شهر

چکیده:

سیستمهای میکروالکترومیکانیکی (MEMS) بعنوان یکی از امید بخش ترین فناوریها در هزاره سوم لحاظ می شود. امروزه، کاهش حجم و وزن ترانسدیوسرها هدف اصلی بسیاری از صنایع، دانشگاههای تحقیقاتی و شرکتها می باشد. پیشرفتهای اصلی سیستمها و ابزارهای اولتراسونیکی در دهه های اخیر، جایگاه های ویژه ای پیدا کرده اندودلیل خوبی برای آنالیزور بررسی آنها بمثابه یک فناوری مدرن و تطبیق پذیر وجود دارد. روشهای اولتراسونیکی می توانند در پایش ومونیتورینک انتشار ترک (Crack)، عیب، شکست جوش، خرابی قطعات و … در مکانهای بحرانی، سازه ها و فرآیندهای صنعتی و … مورد استفاده قرار گیرند. مع الوصف به علت محدودیت های عارضی در بازررسی اولتراسونیکی، یک تکنولوژی ترجیحی، می تواند بهره گیری از ترانسدیوسرهای خازنی MEMS اوتراسونیکی از نوع دیافراگمی باشد. و آشکار سازی عیوب به روش اولتراسونیکی می پردازد. تراشه مورد نظر دارای ۲۳ سنسور ( به صورت آرایه ای) که هر یک دارای ۱۸۰ دیافراگم سیلیکونی با یک قطر ۸۵ میکرونی و فرکانس طبیعی بارگذاری نشده نردیک به ۳٫۵MHz می باشد. این مقاله همچنین گزارشی شامل اندازه گیریهای ظرفیت خازنی- ولتاژ مشخصه های (C-V) وادمیتانس ارایه می دهد. سپس آزمایشهای اصلی و اولیه انجام شده بمنظور تحریک ترانسدیوسرهای پیزوالکتریک (PZT) رایج و فرآیندهای آشکار سازی موفقیت آمیز سیگنالهای فراصوتی در خصوص کاربردهای بالقوه آنها ( از جمله اندازه گیری ضخامت اجسام ذیربط) را مورد تدفیق و آنالیز قرار می دهد.