سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

زهرا عارفی نیا – گروه مهندسی برق دانشکده مهندسی دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی –

چکیده:

دراین مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن بالیستیک CNTFET) که دارای کانال بسیار کوچک سطح تماس فلزی با سد پتانسیل کم و نارسانای گیت باریک با ثابت دی الکتریک بزرگ است با استفاده از شبیه سازی کوانتومی خودسازگار تحلیل شده است برای درک فیزیکی و پیش بینی بهینهس ازی در طراحی، یک شبیه سزای عددی که معادله انتقال کوانتومی را بصورت خودسازگارانه با معادله پواسون سه بعدی با استفاده از تابع گرین ناترازمند حل می کند به کاررفته است نتایج مهمی که دراین مقاله مورد بحث قرار میگیرند عبارتنداز : تا چه اندازه ترانزیستور نزدیک محدوده بالیستیک عمل می کند نقش پراکندگی فونونی و زیرلایه های بالاتر چیست؟ چگونه می توان CNTFET) را بهینه تر ساخت