سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مرتضی فتحی پور – دانشکده برق دانشگاه تهران
علی اصغر اروجی – دانشکده برق دانشگاه سمنان
سارا حیدری – دانشکده برق دانشگاه سمنان

چکیده:

در این مقاله آنالیز عددی دو بعدی جهت بررسی اثرات خود گرمایی در ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با ساخت بر روی ساختار نوینی از لایه عایق انجام شده است. مشخصه های الکتریکی و توزیع دمایی این افزاره شبیه سازی شده و با ترانزیستورهای SOI-MOSFET متداول مقایسه شده است. نتایج تحلیل های عددی نشان می دهند که ساختار ارائه شده دارای مشخصه های جریان-ولتاژ خروجی و زیر آستانه خوبی است. همچنین دمای کانال و مقاومت دیفرانسیلی منفی نیز در دماهای بالا کاهش یافته و بهبود اثرات خودگرمایی را تائید میکنند.