سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

آذر علی آبادی – آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL)، دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
یاسمن اخوان – دانشکده مواد، مرکز علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
محمد اخوان – آزمایشگاه تحقیقاتی مغناطیس (MRL)، دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

به منظور دست یابی به ساز و کار غالب در پدیده ابررسانایی دمای بالا، ترکیب Y3Ba5Cu8O18 به روش استاندارد واکنش حالت جامد ساخته شد. آزمایش مشخصه یابی XRD بر روی نمونه ها انجام شد و نتایج توسط پالایش ریتولد مورد تحلیل قرار گرفتند . نتایج تحلیل ریتولد نشان دهنده تشکی ل ساختار ۳۵۸ با استوکیومتری اسمی اولیه در مرحله ساخت است . مقاومت الکتریکی بر حسب دمای این سیستم و همچنین رفتار آن در حضور میدان های مختلف مغناطیسی اندازه گیری شدند. منحنی مقاومت الکتریکی دمای گذار را Tconset = 102K با عرض گذار ΔT c = 3K هن شدگی ÷ نشان می دهد. اعمال میدان مغناطیسی منجر به یک در منحنی مقاومت الکتریکی در زیر دمای گذار می شود Tc offset به سمت دمای پایین تر میل می کند. همچنین، یک پهن شدگی کوچک در قسمت Tc onset در میدان های مغناطیسی بالا مشاهده می شود.