سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

اسماعیل سروستانی – آزمایشگاه تحقیقاتی نانوفیزیک ، دانشکده فیزیک ، پردیس علوم ، دانشگاه ت
فاطمه محمدی اوچمش – آزمایشگاه تحقیقاتی نانوفیزیک ، دانشکده فیزیک ، پردیس علوم ، دانشگاه ت
راضیه حسینی اکبرنژاد – آزمایشگاه تحقیقاتی نانوفیزیک ، دانشکده فیزیک ، پردیس علوم ، دانشگاه ت
یاسر عبدی – آزمایشگاه تحقیقاتی نانوفیزیک ، دانشکده فیزیک ، پردیس علوم ، دانشگاه ت

چکیده:

رشد عمودی نانولوله های کربنی بر روی زیر لایة سیلیسیومی با استفاده از روش لایه نشانی با بخار شیمیایی به کمک پلاسما انجام گرفته است . سیستم مورد نیاز برای رشد نانولوله ها در آزمایشگاه راه اندازی شده است و رشد عمودی نانولوله های کربنی با اعمال نیروی حاصل از میدان الکتریکی پلاسما به هنگام رشد دراین روش امکان پذیر است . نانولوله ها با اعمال میدان الکتریکی با شدت های متفاوت رشد داده شده اند . مشاهده شد که راستای رشد نانولوله ها به شدت متأثر از میدان الکتریکی اعمالی است . همچنین نانولوله های با قطر کمتر به راحتی با جهت میدان الکتریکی هم راستا می شوند . کنترل اندازة نانودانه های کاتالیست جهت رشد نانولوله های با قطرهای مختلف نیز توسط اندازه گیری با میکروسکوپ تونلی و میکروسکوپ الکترونی روبشی انجام شده و مورد بررسی قرار گرفته است