سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: دومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
هادی ملکی – پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران
رضا افضل زاه – گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

لایههای نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) بر روی زیرلایههای شیشهای به شیوه کندوپاش RF با توان ۲۸۰ وات و با استفاده از هدف سرامیکی ITO (%In2O3-SnO2 ،۹۰-۱۰ wtلایه نشانی شده، سپس عملیات پخت بعد از انجام لایه نشانی، در محیط خلاء انجام گرفته است . مقاومت الکتریکی، خواص اپتیکیو ساختار کریستالی این لایهها به ترتیب توسط آنالیزهای مقاومت چهار پروبی، طیف سنج UV/VIS/IR و XRD بررسی شده است . نتایج نشان میدهند که با افزایش دمای پخت در خلاء نسبت به پخت در شرایط مشابه اما در محیط اتمسفر، خواص کریستالی و مقاومت الکتریکی بهبود یافته و شفافیت مناسبی حاصل می گردد . مقاومت الکتریکی لایهها قبل از پختΩcm 19ضربدر ده به توان منفی ۴است که با افزایش دمای پخت در خلاء تا۵۰۰ °C به Ωcm ٧/٣×۱۰به توان -۵کاهش مییابد