سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۸

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علی اصغر شکری – دانشکده فیزیک دانشگاه پیام نور( مرکز تهران) – آزمایشگاه تحقیقاتی علوم
طاهره خیابانیان – آزمایشگاه تحقیقاتی علوم محاسباتی فیزیکی، پژوهشکده علوم نانو، پژوه

چکیده:

در این مقاله، اثر پراکندگی الکتریکی از سطوح مشترک و مرزهای خارجی را بر روی مقاومت مغناطیسی بزرگ (GMR) دو سه لایه ای، به صورت نظری بررسی می کنیم. با اعمال میدان الکتریکی در صفحه ی چندلایه ای (CIP) جریان الکتریکی در راستای لایه ها ایجاد میشود. محاسبات مان مبتنی بر معادله ی شبه کلاسیکی بولتزمان با تقریب زمان واهلش است. نتایج عددی به صورت کیفی با کارهای مشابه انجام گرفته بر روی چند لایه ایه ای Fe/Cr/Fe و Fe/Cu/Fe سازگار بوده به طوری که میتواند برای طراحی ادوات الکترونیک اسپینی مفید باشد.