سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: شانزدهمین همایش انجمن بلور شناسی و کانی شناسی ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

سعیده راستگوی طالمی – دانشکده علوم ،گروه فیزیک دانشگاه گیلان
فرهاد اسمعیلی قدسی – دانشکده علوم ،گروه فیزیک دانشگاه گیلان

چکیده:

در این گزارش چگونگی تغییرات خواص اپتیکی لایه نازک اکسید سیلیکون در اثر تغیرات دمایی که با استفاده از روش غوطه وری سل –ژل تهیه شده، ارائه شده است. در ابتدا ماده آلی ستیل تری متیل آمنیوم برمایید به عنوان سورفاکتانت در ساختار غیر آلی اکسید سیلسوم سبب تشکیل هیبرید آلی- غیرآلی گردید وسپس این هیبرید برای تشکیل لایه نازک با سرعت غوطه وری mm/s3.5 مورد استفاده قرار گرفت . پس از خشک سازی اولیه لایه نازک اکسید سیلیکون تحت عملیات گرمایشی قرار گرفت . تغییرات خواص اپتیکی این فیلم در دماهای ۱۵۰،۳۰۰ و ۴۰۰ درجه مورد بررسی قرار داد شد .با طیف نگاری بوسیله طیف سنج امواج مرئی- فرابنفش وآنالیز دادها و همچنین طیف سنجی امواج مادون قرمز مشاهده گردید که با افزایش دما و کاهش سهم ماده آلی خواص اپتیکی لایه نازک دستخوش تغییر گردیده است.