سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

حسن دیباجی – سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
مجید مجتهدزاده – سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
محسن صالح کوتاهی – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه فیزیک
عبدالجواد نوین روز – سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

چکیده:

گاز متان با انرژی ۹۰ keV و گستره دز از / cm 2 یون ۴ ×۱۰به توان ۱۷ تا ۳/۲ ×۱۰ به توان ۱۸ درون سیلیکون کاشته شده است . دمای زیر لایه ها در حین کاشت ۵۷۰ ۰ C و بازپخت بعدی در دمای ۹۸۰ ۰ C بوده است . اندازه گیری های FTIR نشان می دهد که بلافاصله بعد از کاشت، پیوند بین کربن و سیلیکون برقرار شده و کاربید سیلیکون آمورف هیدروژن دار ) ) a−SiC : H تشکیل و بعد از بازپخت، لایه های آمورف به β −SiC تبدیل شده اند . در این مقاله نشان داده شده است که میزان کریستالیزه شدن β −SiC از دز / cm 2 یون ۴ ×۱۰ به توان ۱۷تا دز ۱/۲ × ۱۰به توان ۱۸افزایش و بعد از این دز تا ۳/۲ × ۱۰به توان ۱۸ کاهش یافته است . بنابراین دز بهینه ای برای تشکیل β −SiC وجود دارد . همچنین در این مقاله ضخامت لایه ها بوسیله طیف سنجی FTIR محاسبه شده است