سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علیرضا صفارزاده – دانشگاه پیام نور، تهران
محمود بهار – مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات، پژوهشکده علوم نانو، تهران
انسیه محمودی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال

چکیده:

در این مقاله با استفاده از تقریب پتانسیل همدوس (CPA) و روش بستگی قوی تک نواری اثر ناخالصی را روی چگالی حالتهای الکترونی جایگزیده (LDOS) در یک سیم کوانتومی مطالعه می کنیم. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد که LDOS وابستگی قوی با غلظت ناخالصی دارد با افزایش ناخالصی تیزی قله ها و همچنین پهنای نوار کاهش می یابد. این نتایج می تواند در ساخت دستگاه های نانوالکترونیک مفید باشد.