سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۸

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

آزاده برجسته – دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
امیرحسین احمدخان کردبچه –
رسول اژئیان –

چکیده:

در این مقاله، نتایج شبیه سازی های عددی در سلو ل های فوتوولتائیکی آلی به صورت ساختاری متشکل از مواد بخشنده و پذیرنده الکترون،ارائه شده وسپس نرخ تولیداکسایتون درسلول های خورشیدی آلی برحسب ترکیبات P3HT:PCBM مورد محاسبه قرارمیگیرد. دراین روش اثرتداخل های نوری به عنوان عامل مهم در محاسبه ی چگالی جریان اتصال کوتاه درنظر گرفته می شود و با استفاده از توزیع میدان الکترومغناطیسی نرخ تولیداکسایتون بدست آمده و به عنوان ورودی در محاسبه ی چگالی جریان بکار می رود.