سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حسن صحراگرد – گروه فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی
آرش فیروزنیا – گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم تبریز
مجید قناعت شعار – پژوهشکده لیزر و پلاسما،دانشگاه شهید بهشتی
محمدمهدی طهرانچی – گروه فیزیک،دانشگاه شهید بهشتی – پژوهشکده لیزر و پلاسما،دانشگاه شهید

چکیده:

امروزه ترابرد وابسته به اسپین در ساخت قطعات جدید الکترونیکی که در آن ها اسپین الکترون ها نقش کلیدی دارد اهمیت بسیار پیدا کرده است. بنابراین در اسپینترونیکیا اسپین الکترونیک نیم رسانا مطالعه کنترل و میزان سوق دهی اسپین الکترون در سیستم های نیم رسانا برای ما بسیار مطلوب است. در اینجا اثر تغییرات توزیع فضایی دوپه را در یک پیوندگاه p-n که ناحیه p آن غیر مغناطیسی و ناحیه n آن مغناطیسی می باشد را بررسی می کنیم. این بررسی ها با استفاده از روش سوق- پخش انجام شده اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند قطبش اسپینی تزریق شده در ناحیه p را می توان افزایش داد.