سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: چهاردهمین همایش بلور شناسی و کانی شناسی ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

آوازه هاشملو – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مهدی اسکویی – دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده، تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرزی در بلور نیمه هادی می گردد. برای محاسبه باندها وزیر باندها از اثر جهت شدگی اربیت – اربیت برای زیر باندهای حفره – سنگین (HH) و حفره – سبک (LH) ظرفیت صرفنظرنکرده ایم، اما از جفت شدگی اسپین – اربیت دوزیر باند ذکرشده با زیر باند شکافتی در K=0 چشم پوشی کرده ایم؛ زیراانرژی شکافتی بین این با ند و باندهای ذکر در حدی است که در فرایندهایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد.