سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حمیدرضا فلاح – گروه فیزیک ، دانشکده علوم ، دانشگاه اصفهان ، گروه پژوهشی اپتیک کوانتو
محسن قاسمی – گروه فیزیک ، دانشکده علوم ، دانشگاه اصفهان ،
مهدی زادسر – گروه فیزیک ، دانشکده علوم ، دانشگاه اصفهان ،
محمد جواد وحید – گروه فیزیک ، دانشکده علوم ، دانشگاه اصفهان ،

چکیده:

فیلم هایZnO روی بستره های شیشه ای در دمای اتق به روش تبخیر پرتو الکترونی رشد داده شده اند مشخصات الکتریکی اپتیکی و ساختاری لایه ها نظیر مقاومت ویژه الکتریکی . تراگسیل .و گاف انرژی . همواره سطح و اندازه ی دانه بعد از باز پخت به دست آمده است اندازه گیری های XRD نشان می دهد که فیلم های ZnO با پهنای کامل در نصف شدت بیشینه FWHM کمتر از ۰/۵ درجه جهت مند شده اند . پهنای قله ها بعد از باز پخت کاهش می یابد که الین کیفیت بالای ساختار را نشان می دهد . اندازه گیری های SEM نشان می دهد که سطوح لایه های ZnO انباشته شده نسبتا یکنواخت می باشد