سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

اکبر زنده نام – آزمایشگاه لایه نازک ، دانشگاه اراک ، اراک
وجیهه تونگر – آزمایشگاه لایه نازک ، دانشگاه اراک ، اراک

چکیده:

به منظور بررسی اثر دمای زیر لایه و بازپخت بر لایه های نازک اکسید روی لایه هایی با شرایط یکسان ضخامت ۱۰۰ نانومتر آهنگ انباشت nm/s0.45و در گسترده دمای زیر لایه k (450-325و بازپخت c (500-350 لایه نشانی شدند انرژی باند گاف و توان عبوری لایه ها در گسترده طول موج nmو (۱۱۰۰-۲۵۰) مورد مطالعه قرار گرفت . با افزایش دمای زیر لایه توان عبوری لایه ها کاهش یافته و افزایش دمای پخت در طول موجهای کوتاهتر موثر بوده است . اثر دمای زیر لایه و بازپخت بر مقدار انرژی باند گاف ناچیز بوده و بیشترین اثر در جذب لایه ها مشاهده شد . اثر تغییرات دمای بازپخت بر ضریب شکست نیز بررسی شد