سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مهدی قربانی اصل – گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال
علیرضا صفارزاده – گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، پژوهشکده علوم نانو، پژوهشگاه دانشهای

چکیده:

در این مقاله رسانندگی الکتریکی نانو نوارهای گرافن با لبه های آرمچیر در اتصال با دو الکترود فلزی بررسی می شود. سیستم با استفاده از هامیلتونی تقریب یستگی قوی نزدیکترین همسایه با یک الکترون π در هر اتم توصیف شده و رسانندگی الکتریکی توسط فرمول لانداور و روش تابع گرین در فضای حقیقی محاسبه شده است. سپس اثر تغییرات طول و عرض در رسانندگی الکتریکی نانو نوارهای گرافن تحقیق شده است. نتایج محاسبات نشان می دهد که افزایش طول نانو نوار گرافنی در ولتاژهای پایین باعث کاهش در جریان الکتریکی و نهایتاٌ ایجاد گاف در منحنی رسانندگی می شود. کاهش رسانش الکتریکی می تواند ناشی از اثرات تداخل کوانتومی باشد و رسانش حاکم بر ساختار در وضعیت حضور گاف در رسانش، بر اساس تونل زنی تشدیدی توصیف می شود. از سوی دیگر با افزایش پهنای نانو نوار گرافن همراه با افزایش نقاط اتصال الکترودها با ناحیه مرکزی، مسیرهای شارش الکترون از الکترود چپ به ناحیه مرکزی افزایش یافته و رسانش افزایش می یابد. بنابراین، نانو نوارهای گرافنی با لبه آرمچیر در ساختارهایفلز/گرافن/فلز می توانند رفتاری فلزی یا نیمرسانایی از خود نشان دهند.