سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا هاشم پور – دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ، مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما
منوچهر کلافی – پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز
رجب یحیی زاده – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز

چکیده:

در این مقاله یک مدل تحلیلی برای فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر طول گیت را بر فرکانس قطع و مینیمم نویز بدست آوریم . در این مدل زیر باندهای کوانتمی پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل معادله شرودینگر و پواسون و وارد کردن اثر حالتهای تله های الکترونی ، جریان در سد AlGaN ، جریان کل گیت و دمای کانال چاه کوانتمی دو بعدی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار HEMT دارد