سال انتشار: ۱۳۸۴

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

فرامرز کنجوری – دانشکده فیزیک دانشگاه یزد ، یزد

چکیده:

مقالهی حاضر به بررسی نظری اثر ناخالصی نقطهای درون یک لایهی دیالکتریک (I) که بین دو الکترود فرومغناطیس (F) قرار دارد، بر مشخصهی ولت – آمپر و مقاومت مغناطیسی تونلی(TMR) میپردازد . نشان داده شده است که جریان وTMR در نزدیکی ناخالصی به شدت افزایش مییابد . همچنین اگر مکان ناخالصی درون دی الکتریک نسبت به مرز لایهها متقارن نباشد،I-Vرفتاری دیودگونه خواهد داشت .