سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

افسانه دائمی – گروه فیزیک – دانشگاه گیلان – رشت
علی اصغر شکری – دا
صابر فرجامی شایسته – گروه فیزیک – دانشگاه گیلان – رشت

چکیده:

در این مقاله اثرهای ناشی از پیکربندی های اسپینی جایگزیده که به طور کتره ای در جایگاههای اتمی درون یک سد عایق پراکنده شده اند , بر روی ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین بررسی می شود . از این پیکربندی های جایگزیده می توان به عنوان ناخالصی های مغناطیسی تعبیر کرد . حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی , به دلیل اثر مسقیمی که بر روی جهت گیری گشتاورهای مغناطیسی ناخالصی ها می گذارد , می تواند نتایج متفاوتی به دست دهد که مورد بررسی قرار گرفته است . از نتایج عددی مشخص است که تعداد ناخالصی های مغناطیسی که جایگاه های انرژی درون سد را اشغال کرده اند به شدت قطبش ۱ سپینی و مقاومت مغناطیسی را تحت تاثیر قرار می دهد . سد با الکترودهای نانوکریستالی که با ساختار مکعبی ساده توصیف می شوند , از چپ و راست احاطه شده است . محاسباتمان مبتنی بر مدل بستگی قوی و روش تابع گرین در فرمولبندی لاندائور بوده است . نتایج بدست آمده می تواند برای طراحی نسل جدید ادوات الکترونیکی مفید باشد