سال انتشار: ۱۳۹۲
محل انتشار: ششمین همایش فرامنطقه ای پیشرفتهای نوین در علوم مهندسی
تعداد صفحات: ۵
نویسنده(ها):
فاطمه روستایی – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش – عضو هیات علمی گروه مهندسی برق دانشگاه شهید چمران اهواز
فاطمه حدادان – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:
در این مقاله، جریان تاریک آشکارساز نوریPIN را با استفاده از یک مدل رانش- نفوذ شبیه سازی می کنیم. مدل ارائه شده به ازای ولتاژ بایاس های کم تطابق خوبی با روابط تقریبی و تحلیلی دارد اما به دلیل پوشش ندادن پدیده یونیزاسیون برخوردی به ازای ولتاژهای بایاس قوی خطای قابل توجهی دارد. برای شبیه سازی ماده GaAs را انتخاب می کنیم و از روش گامل برای حل دسته معادلات پیوستگی غلظت حامل، جریان حامل و پواسون کمک می گیریم. نتایج بدست آمده از مدل ارائه شده را با روابط تقریبی مقایسه می کنیم تا درستی کارکرد آن را ارزیابی کنیم..