سال انتشار: ۱۳۸۲

محل انتشار: یازدهمین کنفرانس مهندسی برق

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

مهدی بزرگی – دانشجوی کارشناسی ارشد مخابرات دانشگاه امیرکبیر
عبدالعلی عبدی پور – دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده برق گروه مخابرات
احد توکلی –
عباس محمدی –

چکیده:

دراین مقاله یک روش ساده و دقیق برای استخراج پارامترهای داخلی و خارجی ترانزیستور MESFET براساس نتایج اندازه گیری ارایه میشود این روش براساس روشهای تحلیلی و بهینه سازی ساده بیان شده است دراینجا برخلاف بیشتر روشهای مشخصه گذاری ترانزیستور نیازی به روشهای DC نمی باشد و فقط از پارامترهای S حاصل از اندازه گیری درنقاط بایاس مختلف استفاده می شود همچنین خازنهای PAD به مدل مداری اضافه می شود تا بتواند بهتر رفتارترانزیستور را شبیه سازی کند برخلاف بیشترروشها که درمرحله codl-FET از مقاومت کانال مقاومت شاتکی گیت و خازن داخلی C صرفنظر می شود دراینجا با استفاده از دو مرحله اندازه گیری اضافه مقادیراین مقاومت ها و خازن C با دقت مناسب محاسبه می شود ابتدا درحالت PINCH -OFF مقدارخازنهای پد پارازیت محاسبه می شود ودرحالت بدون بایاس سلفها و مقاومت پارازیت خارجی بدست می آیند.