سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: اولین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران

تعداد صفحات: ۳

نویسنده(ها):

منصور زند – پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
رسول بری – پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
بختیار کیا – پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
رضا نشاطی – پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران

چکیده:

در این مقاله ساخت یک مولد تپ جهت دمش لیزر برمید مس با استفاده از کلید IGBT مطرح می گردد.انرژی ذخیره شده در خازن اصلی از طریق کلید فوق در اولیه ی ترانسفورماتور تپ افزاینده اعمال شده و در ثانویه ی ترانسفورماتور پس از دو طبقه متراکم سازی بازمان خیزشی کمتر از ۶۰نانو ثانیه روی لوله لیرز اعمال می گردد.دمای لوله لیزر ۴۱۰درجه و توان متوسط خروجی آن در نرخ تکرار ۱۰کیلو هرتز ۵۰ملی وات اندازه گیری شد.