سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدباقر رحمانی – آزمایشگاه تحقیقاتی میکروالکترونیک، گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی، مشه
سیدحسین کشمیری – آزمایشگاه تحقیقاتی میکروالکترونیک، گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی، مشه

چکیده:

در این مقاله نتایج ساخت و تعیین ویژگی های حسگرهای گاز لایه نازک اکسید ایندیوم گزارش شده است . نمونه ها به روش تبخیر حرارتی بر روی زیرلایه شیشه ای تهیه شدند . اثر افزودن ناخالصی های Sb ، Se ، Ni ، Cr ، و Cd بر حساسیت این نمونه ها به ۲۰۰۰ ppm گاز هیدروژن در فشار آتمسفر مورد مطالعه قرار گرفت . ناخالصی Ni بیشترین حساسیت را ایجاد کرد . نتایج نشان داد که به طور کلی، لایه های تبخیری حساسیت بالایی به گاز هیدروژن دارند.