سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

ایرج کاظمی نژاد – گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران، اهواز
زهرا بسحاق –

چکیده:

در این تحقیق فیلم های نازک مس ازنمک CuSO4 .5H2O در حضور فرمآلدهید به عنوان واسطه کاهش برسطح زیر لایه نیمرسانای سیلیکون به روش الکترولس تهیه شدند وساختارآن ها با استفاده از دستگاه XRD مورد بررسی قرار گرفت. با استفاده از میکروسکوپ SEM ریخت شناسی وترکیب شیمیایی نمونه ها مطالعه شد. سپس اثردما بر فرآیند رشد مورد مطالعه قرار گرفت و دمای بهینه جهت داشتن لایه ای همگن ویکنواخت بین ۵۷-۵۴ درجه سانتیگراد تعیین گردید.