سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۵

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علی بهاری – گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران

چکیده:

تراشه های کامپیوتر و ابعاد قطعات الکترونیکی کوچکتر و کوچکتر می شوند . گیت اکسید فوق نازک در قطعات CMOS برای تحول سیلیکون نیاز می باشد، CMOS نانومتر یا نازک تر که در تولیدات آتی ۱ ( برابر SiO2 – میکرو و نانو الکترونیک بسیار با اهمیت است . ضخامت موثر ( معادل بقدری نازک است تا بتواند مانع جریات تونل زنی , نشتی و نفوذ بورن ازالکترود پلی سیلیکون در اکسید سیلیکون شود . با وجود این سیلیکون هنوز یک مولفه حیاتی در صنعت است . مقاله حاضر یک کوششی در رشد اکسید فوق نازک را شرح می دهد و نشان می دهد که رشد بصورت خود – اشباعی است که پیشتر مشاهده نشده بود . تحقیقات حاضر بر خواص ساختاری سیستمها متمرکز شده است و با الکترون اسپکتروسکوپی، عمدتاً فوتوگسیلی، تابش سینکرترون در UHV مورد مطالعه قرار گرفته است .