سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حسین پناهی – گروه فیزیک دانشگاه گیلان
راضیه عظیمی –
حسین قربان فکر –

چکیده:

در تقریب جرم موثر، حالت های نواری و بین نواری و انرژی اکسیتون در چاه کوانتومی دو گانه GaAs/ALGaAS محاسبه شده اند. نتایج در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت و بصورت تابعی از پهنای چاه و سد بدست آورده شده اند. نشان داده شده است که با افزایش میدان اعمالی بستگی بیشتری بین الکترونها و حفره ها، مشابه تغییر در ابعاد ساختار، می تواند بدست آید.