سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

صادق دانا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد بهبهان – گروه فیزیک
ابوالحسن نازش – دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران – گروه فیزیک

چکیده:

انرژی بستگی ناخالصی ها در سیم کوانتومی GaAs/Ga1-xAlxAs با استفاده از روش المانهای محدود محاسبه گردیده است . در این مقاله از نظریه تقریب جرم موثر استفاده شده و ارتفاع سد پتانسیل را محدود در نظر گرفته ایم . انرژی بستگی بر حسب موقعیت های مختلف ناخالصی در سیم کوانتومی محاسبه و نتایج با سایر مقادیر نظری مقایسه گردیده است .