سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

راضیه عظیمی – گروه فیزیک، دانشگاه گیلان، رشت
حسین پناهی – گروه فیزیک، دانشگاه گیلان، رشت

چکیده:

در این کار انرژی بستگی اکسیتو، سطوح انرژی اکسیتونی و طیف جذب نوری را در چاه کوانتومی دوگانه متقارن و نامتقارن GaAs/Ga1-xAlxAs درحضور میدان مغناطیسی یکنواخت در جهت رشد لایه ها به صورت تئوری و در تقریب جرم موثر موردمطالعه قرار دادیم. ابتدا با استفاده از روش وردشتی تاثیر افزایش میدان مغناطیسی و همچنین تغییر ساختار را روی انرژی بستگی اکسیتون درسطوح پایه و برانگیخته بررسی کردیم و نشان دادیم که جفت شدگی دو چاه بر سطوح انرژی اکسیتون اثر می گذارد . از یک تابع غیر وردشتی نیز استفاده کردیم و چگونگی ترکیب توابع پایه را بر اساس پتانسیل کولنی نشان دادیم. در انتها نیز طیف جذب نوری را محاسبه کردیم.