سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محمدعلی شاهزمانیان – گروه فیزیک دانشگاه اصفهان ، خیابان هزارجریب ، اصفهان
محمد اعتصامی – گروه فیزیک دانشگاه اصفهان ، خیابان هزارجریب ، اصفهان
حشمت الله یاوری – گروه فیزیک دانشگاه اصفهان ، خیابان هزارجریب ، اصفهان، دانشکدة خوانسا

چکیده:

بتازگی یک گروه از پژوهشگران دانشگاه ایلینوز آمریکا ۱ و ۲ ، یک قطعة تداخل کوانتومی ابررسانایی ساخته و تغییرات مقاومت الکتریکی دو سر آن بر حسب دما، میدان مغناطیسی و جریان را مورد بررسی قرار داده اند . این قطعه که آن را انکوئید می نامیم از دو فیلم نازک ابررسانا با ابعاد مزوسکوپی و دو نانوسیم ابررسانا که بطور موازی روی دو فیلم قرار گرفته و آن دو را به هم متصل می ، کنند ساخته شده است . گروه مذکور برای توصیف رفتارهای مغنا طومقاومت انکوئید بسته به طول نا نوسیم ، ها ازتعمیم نظریة IZAH و LAMH استفاده کرده اند .۲ ما با تعریف القائیدگی ، حلقه درنظرگرفتن بسط فوریة سینوسی برای رابطة جریان – فاز هر نانوسیم ، در نظرگرفتن رابطة مناسب برای مقاومت هر نانوسیم ابررسانا و جایگزین کردن یک معادلة فوکر – پلانک دو بعدی به جای دو معادلة لانجوین ، روابط تحلیلی برای رفتارهای انکوئید ارائه می دهیم و سه روش فرمولبندی را با هم مقایسه می کنیم . فرمولبندی ما در مورد اسکوئیدهایDCدارای Tcپایین و بالا هم کاربرد دارد