مقاله ايجاد ريزساختار هدفمند در آلياژ هيپويوتکتيک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ريخته گري گريز از مرکز که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در پاييز ۱۳۸۹ در مواد نوين از صفحه ۱۱ تا ۱۸ منتشر شده است.
نام: ايجاد ريزساختار هدفمند در آلياژ هيپويوتکتيک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ريخته گري گريز از مرکز
این مقاله دارای ۸ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله مواد هدفمند
مقاله آلياژ هيپويوتکتيک Al-11 wt.% Mg2Si
مقاله ريخته گري گريز از مرکز
مقاله ريزساختار درجه بندي شده

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: امرايي حجت اله
جناب آقای / سرکار خانم: صمدي احد
جناب آقای / سرکار خانم: وجد اكبر

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
يکي از روش هاي ايجاد ناهمگني هدفمند در ريزساختار مواد، روش ريخته گري گريز از مرکز است که در آن نيروي گريز از مرکز منجر به توزيع درجه بندي شده اي از فازهاي ريزساختاري در حين ريخته گري و انجماد مي شود. بر اين اساس، در اين پژوهش با آماده سازي مذاب هيپويوتکتيک با ترکيب  Al-11 wt.% Mg2Si و ريخته گري گريز از مرکز آن، استوانه هايي با شيب ترکيبي و فازي، در راستاي شعاعي ريخته گري شدند. با بررسي ريزساختار استوانه هاي ريختگي در جهت شعاعي، دو لايه متمايز ريزساختاري به ترتيب با کسر حجمي بالاي دانه هاي  a-Alدر سطوح خارجي و درصد بالاي ريزساختار يوتکتيکي  Al/Mg2Siدر سطوح داخلي قابل تشخيص بودند. در مرحله بعد، نمونه هاي ريخته شده در دماي ۵۳۰oC به مدت ۱۰ ساعت محلول سازي شده و پس از تبريد در آب، به مدت ۸ ساعت در ۱۷۵oC پيرسازي شدند. بررسي ريزساختار نمونه ها نشان مي دهد که عمليات حرارتي باعث تبديل ذرات Mg2Si لايه اي موجود در ساختار يوتکتيکي سطوح داخلي به ساختار ريز شبه يوتکتيکي نقطه اي مي شود. ساز و كار تشکيل چنين ساختار مرکب يوتکتيکي موضوعي است که در مقاله به آن پرداخته مي شود.