سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علی باقی زاده – آزمایشگاه واندوگراف، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای
داود آقاعلی گل – آزمایشگاه واندوگراف، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای
علی اکبر دبیرزاده – آزمایشگاه طراحی و ساخت تجهیزات هسته ای، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای
محمد فرمهینی فراهانی – آزمایشگاه واندوگراف، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای

چکیده:

در این مقاله آسیب ایجاد شده بر اثر کاشت ناخالصی ژرمانیوم با دو دز و انرژی متفاوت را در تک بلور سیلیسیم بررسی می نماییم . پروفایل اتم های سیلیسیم جابجا شده از مکان شبکه ای خود بر حسب عمق بعد از کاشت یون به دست می آید . نتایج به دست آمده با محاسبات نرم افزار TRIM و پیشگویی مدل اصلاح شدهKinchin-Pease مقایسه می گردد . همچنین در این مقاله سعی شده است تا اثر دز و انرژی یون های کاشت شده در ایجاد آسیب بلوری بررسی گردد . اثر بازپختحرارتی بر ترمیم بلوری شبکه سیلیسیم نیز مطالعه می گردد