سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

آذر سرانی – دانشکده فیزیک دانشگاه پیام نور تهران و باشگاه پژوهشگران جوان تبریز
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله، مدلی برای محاسبه ظرفیت کوانتومی در ساختار نیتریدی متشکل از ابر شبکه GaN/AlN و لایه نقاط کوانتومی InN ارائه شده، که وجود نقاط کوانتومی خود را به صورت یک پیک در نمودارهای ولتاژ- ظرفیت نشان میدهد. همچنین اثرات دما و تعداد نقاط کوانتومی بر روی ظرفیت الکتریکی بررسی شد. نتایج نشان می دهد افزایش دما سبب کاهش ظرفیت و افزایش تعداد نقاط کوانتومی سبب افزایش ظرفیت در این ساختارها در یک بازه ولتاژ می گردد.