سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

رضا شموسی محمدزاده – گروه فیزیک دانشکده علوم، دانشگاه گیلان
فرهاد اسمعیلی قدسی – گروه فیزیک دانشکده علوم، دانشگاه گیلان
عادل شجاعی – مربی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بهبهان

چکیده:

در این تحقیق لایه های نازک اکسید وانادیوم ) ) V2O5 با استفاده از روش سل – ژل از طریق انحلال پودر وانادیوم پنتاکسید ) ) V2O5 در محلول پراکسید هیدروژن پانزده درصد ) ) H2O2 %15 تهیه شدند . برای این کار ۳ gr پودر ) ) V2O5 را در ۳۰۰ ml پراکسید هیدروژن حل کردیم و بـا تقـسیم آن بـه سـه قـسمت در دماهـای ۶۰ ، ۷۵ و ۹۰ ۰ C تحت عملیات گرمایش قرار دادیم تا سل های مناسب تهیه شدند . به منظور بررسی خصوصیات اپتیکی از این سل ها جهت تهیه پوشش دهـی بـر بـسترهای d, α, ( تحت عملیات گرمایش قرار گرفتند . تعیین ثابتهای اپتیکی لایه هـا ۱۵۰ ۰ C شیشه ای با استفاده از تکنیک غوطه وری استفاده شد و در نهایت لایه ها در دمای ( با استفاده از روش بهینه سازی و تنها با استفاده از طیف تراگسیلی لایهها صورت گرفت . نتایج بدست آمده نشان میدهد با افزایش ویسکوزیته، ضریب جذب n, Eg2/3 eV و ضخامت لایهها افزایش یافته و ضریب شکست لایهها کاهش مییابد . گاف نواری انرژی بدست آمده برای لایههای نازک اکسید وانادیوم در این تحقیـق محاسبه شده است . نتایج میکروسکوپ پروبی روبشی نشان می دهد افزایش ویسکوزیته باعث افزایش پارامترهای زبری لایه می شود . نقش پراش پرتو ایکس ( XRD (
نشان میدهد ساختار پودر تهیه شده در دمای ۴۵۰ ۰ C پلی کریستالی است .