سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فاطمه میرزائی – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یزد
محمد هادی ملکی – پژوهشکده لیزر و اپتیک، سازمان انرژی اتمی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ا
غضنفر میرجلیلی – گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یزد

چکیده:

لایه های نازک ITO بر روی زیرلایه های شیشه ای در دمای ۲۰۰ درجه سانتیگراد با کمک روش تبخیر در خلاء با استفاده از باریکه الکترونی، لایه نشانی شده است. نمونه های لایه نشانی شده، در محیط اتمسفر و محیط خلا، در دماهای مختلف تحت بازپخت قرار گرفته اند. مقاومت الکتریکی نمونه پس از لایه نشانی Ωcm 1/84*10-1 اندازه گیری شد و پس از بازپخت در اتمسفر و خلاء (به ترتیب) ۵۰۰ و ۴۰۰ درجه سانتیگراد، به مقدار Ωcm 1/35*10-4 کاهش یافت. عبور نوری نمونه ۷۸/۶۶% بدست آمد. با استفاده از نتایج XRD، ثابت شبکه ˚۱۰/۰۸A محاسبه شد. باند ممنوعه نوری لایه های نازک ۴/۲۷, ITO بدست آمد. برای بررسی اندازه گیری خواص لایه های نازک ITO از سیستم چهارترمینالی، طیف سنج XRD ، UV/VIS/IR و AFM استفاده شده است.