سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سمیه اسدزاده – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری –
منوچهر کلافی –

چکیده:

در این مقاله انرژی حالت پایه اکسایتون در مدل پتانسیل متناهی برای نقطه کوانتومی استوانه ای شکل GaN که توسط AlxGa1-xN احاطه شده، با استفاده از روش وردشی محاسبه شده است. سپس انرژی بستگی اکسایتون بر حسب تغییرات و ارتفاع نقطه کوانتومی بدست آورده شده است. نتایج نشان می دهند که با کاهش و ارتفاع کوانتومی انرژی بستی اکسایتون افزایش می یابد.