سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۷

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سید ابراهیم حسینی – دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
ابوالفضل رحمانی – دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار

چکیده:

در این مقاله میزان تاثیر طول گیت بر مشخصه های ترانزیستورهای نانومتری SOI- MOSFET بررسی شده است. سه ترانزیستور با طول گیت ۲۰۰،۱۰۰ و ۵۰۰ نانومتر بررسی و مشاهده شد که در یک طول کانال ثابت هر چقدر طول گیت را افزایش دهیم شیب منحنی ID-VGS بیشتر می شود که حاصل آن افزایش هدایت انتقالی است. همچنین با بیشتر شدن طول گیت اثر ولتاژ درین روی جریان درین کم می شود و به عبارت دیگر DIBL کاهش می یابد.