سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

گلناز روح بخش – گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز
جعفر خلیل علافی – مرکز تحقیقات مواد پیشرفته و فرآوری مواد معدنی دانشگاه صنعتی سهند تبر
فرامرز هادیان – گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز
حسن بیدادی – گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز

چکیده:

در این تحقیق لایه های نازک از جنس آلیاژ حافظه دار NiTi با رو کندوپاش مگنترونی تهیه و ساختار بلوری لایه ها در حالت آمورف و پس از عملیات حرارتی، با روش پراش پرتو ایکس ( XRD) و همچنین تغییر حالت های فازی لایه ها با اندازه گیری تغییرات مقامت الکتریکی در دماهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که در لایه های آمورف به علت نبود تغییر حالت های فازی، اثر حافظه داری مشاهده نمی شود. پس از عملیات حرارتی، لایه ها به حالت بلوری نزدیک شده و به علت وجود تغییر حالت های فازی، اثر حافظه داری نمایان می شود. لایه های تهیه شده در فشارهای نسبتا بالا، به علت کاهش انرژی اتم های کنده شده از هدف، یک ساختار لایه ای ستونی که ضعیف و شکننده می باشد نمایش می دهند. اتم های آرگون نیز در ساختار لایه شرکت می کنند و این دو عامل باعث کوچک شدن حلقه هیترزیس حافظه داری شده و ساختار متخلخلی ایجاد می شود که نتیجه آن رخداد تغییرات فازی در دماهای پایین تر است. بنابراین برای تهیه لایه ها با میکروساختارو اثر حافظه داری مطلوب، فشار و آهنگ رسوب دهی مناسبی بایستی مورد استفاده قرار گیرد.