سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمد الهی – گروه فیزیک – دانشکده علوم – دانشگاه رازی کرمانشاه
رضا کاکاوندی – گروه فیزیک – دانشکده علوم – دانشگاه رازی کرمانشاه

چکیده:

لایه های نازک نانوذرات سولفید سرب برروی زیر لایه های شیشه ای بااستفاده از روش رسوب گیر ی از حمام شیمیایی رشد داده شده اند . با کنترل پارامترهای ساخت می توان اندازه نانوذرات را کاهش داد . با کاهش اندازه نانوذرات گاف انرژی نانوذرات به علت اثر محدودیت کوانتومی به سمت انرژی های بالا انتقال داده شده است . با استفاده از طیف پراش اشعه ایکس وروشهای اسپکتروسکوپی , ساختار بلوری وخواص اپتیکی لایه های نازک اندازه گیری شده است . نشان داده شده است که هدایت الکتریکی درگستره دمایی ۳۰۰ تا ۴۵۰ درجه کلوین به علت جهش حامل های بار بین حالات جایگزیده در سطح فرمی .است