سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۸

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سیدادریس فیض آبادی – دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
فاطمه حیدری پور – گروه , فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران
زینب کارگر – گروه , فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران
محسن صالح کوتاهی – گروه , فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، تهران

چکیده:

در این مقاله، با استفاده از تکنیک تابع گرین به بررسی اثر ولتاژ و ضریب جفت شدگی بین اتصالات و زنجیره اتمی بر روی رسانندگی زنجیره محدود اتمی طلا پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که رسانندگی نسبت به ولتاژ بسیار حساس است و از این خاصیت می توان در ساخت ترانزیستور های مولکولی استفاده کرد. مقدار ضریب جفت شدگی بین اتصالات و زنجیره اتمی نیز روی رسانندگی تاثیر می گذارد. مقدار بیشینیه رسانندگی هنگامی اتفاق می افتد که ضریب جفت شدگی بین اتصالات و زنجیره در دو طرف چپ و راست یکسان و برابر با انتگرال هم پوشانی زنجیره اتمی باشد. در نهایت با تغییر همزمان ولتاژ و ضرایب جفت شدگی بین اتصالات و زنجیره می توان به مقادیر بهینه ولتاژ برای بیشینه رسانندگی دست پیدا کرد.