سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

شرمینه رستمی، – پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
علی حیدر نیا – پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
حمید رضا قمی، – پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران
سید حسن توسلی – پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران

چکیده:

تکنیک طیف نگاری تابش نورانی به عنوان روشی کارآمد در مطالعه پدیده های موجود در تخلیه الکتریکی نورانی استفاده می شود. در این مطالعه نیز اثر حضور میدان مغناطیسی در فرآیندهای غالب در تخلیه الکتریکی نورانی، با استفاده از طیف نگاری ناحیه ی اطراف کاتد، در شرایط مختلف از جمله جریان ، فشار و نوع گاز و جنس الکترود به کار رفته، بررسی شده است. با اعمال میدان مغناطیسی حاصل کندوپاش و در نتیجه شدت طیف ماده ی کاتدی افزایش می یابد. نتایج حاصل از طیف نگاری نیز کاهش شدت طیف گاز با حضور میدان مغناطیسی را نشان می دهند