سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

جواد بداقی جمالی – پژوهشکده هواشناسی، سازمان هواشناسی کشور، تهران
یوسفعلی عابدینی – گروه فیزیک، دانشگاه زنجان
سمیه زارعی – گروه فیزیک، دانشگاه زنجان

چکیده:

در این تحقیق با استفاده از اندازه گیری های پذیرفتاری مغناطیسی و طرح های پراش سنجی با اشعه -x صورت گرفته بر روی کریستال های رادیکالی آلاییده شده با ناخالصی های غیر مغناطیسی و مغناطیسی، اثر آلایندگی روی خواص مغناطیسی این سیستم های رادیکالی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور کریستال های رادیکالی p-CyDOV و p-CDpOV انتخاب شده اند. نتایج تحلیل نشان می دهد که با اضافه شدن آلایندگی، خواص مغناطیسی دچار تغییر می شوند که برای این منظور در سیستم p-CyDOV میزان بسیار جزئی از آلایندگی و در سیستم p-CDpOV میزان بسیار زیادی از آن مورد نیاز است تا اینکه این تغییرات محسوس باشند. در سیستم p-CyDOV ناخالصی تاثیر خود را در گذار spin-Peierls می گذارد و در سیستم p-CDpOV هم تاثیر ناخالصی در تغییر برهم کنش تبادلی مولکولی از FM به AFM کاملا نمایان می باشد. نتایج این تحقیق، نشان از کنترل رفتار مغناطیسی مولکولی برای طراحی مواد جدید را دارد.