سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محسن میرنژاد – آزمایشگاه میکرو الکترونیک، گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد ، مشهد
محمود رضایی رکن آبادی – آزمایشگاه میکرو الکترونیک، گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد ، مشهد
حسین کشمیری – آزمایشگاه میکرو الکترونیک، گروه فیزیک دانشگاه فردوسی مشهد ، مشهد
محمدرضا رشیدیان وزیری – گروه فیزیک دانشگاه بیرجند، بیرجند

چکیده:

در انواع ساختارهای نمونه های نبمه هادی، نقایص بلوری ( با چگالی های متفاوت ) وجود دارد . اتصالات آویزان ناشی از این نقایص، باعث به دام اندازی حامل های بار و کاهش تحرک حامل ها می شوند . انتظار می رود که قرارگیری لایه نازک SnO2 :In در معرض هیدروژن اتمی موجب افزایش چشمگیر هدایت الکتریکی این لایه ها شود، چرا که هیدروژن اتمی می تواند با بستن اتصالات آویزان ( ناشی از نقص های بلوری ) ، تحرک حامل های بار را افزایش دهد . در این تحقیق لایه های نازک SnO2 :In با درصد های مختلف ناخالصی In ساخته شده به روش اسپری پایرولیز، در شرایط بهینه هیدروژن دهی شدند . نتیجه این امر کاهش ۳۰ تا ۴۵ درصدی مقاومت الکتریکی نمونه ها بود در حالیکه کاهش کمی در عبور اپتیکی لایه ها مشاهده شد .