سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سمیه اسد زاده – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
سعید شجاعی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز

چکیده:

دراین مقاله انرژی حالت پایه اکسایتون درالگوی پتانسیل متناهی برای نقاط کوانتومی استوانه ای شکل GaN که درمحیط( فرمول درمتن اصلی مقاله) محبوس شده اند با استفاده ازروش وردشی محاسبه شده است سپس انرژی بستگی اکسایتون به ازای پتانسیلهای محیط متفاوت که وابسته به ضریب مولارآلیاژ آلومینیوم ( x ) محیط است بدست آورده شده است نتایج بدست آمده نشان می دهند که برای ارتفاع مشخص ازاستوانه نقطه کوانتومی با افزایش ( x ) انرژی بستگی اکسایتون افزایش می یابد .