سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

برهان ارغوانی نیا – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
داوود آقاعلی گل – پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای، آزمایشگاه واندوگراف
علی باقرزاده – پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای، آزمایشگاه واندوگراف
داریوش فتحی – گروه فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

در این مقاله با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM ) ، تأثیر ناخالصی آرسنیک(As) با دز های مختلف که با روش کشت یونی در ویفرهای سیلیسیم تک بلور (۱۰۰) ، کاشته شده است، بعد از اکسیداسیون گرمایی سیلیسیم در تغییرات مورفولوژی سطح فصل مشترک اکسید – نیمه رسانا مطالعه شده است . همچنین تأثیر بازپخت حرارتی بعد از مرحله اکسیداسیون در خواص الکتریکی و منحنی ولتاژ – جریان (I-V) مورد مطالعه قرار گرفته است . علاوه بر این ایجاد لایه بلوری و غنی ازAsدر فصل مشترک اکسید – نیمه رسانا با استفاده از تکنیکRBS-Channelingبررسی شده است