سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: دومین کنفرانس ملی خلاء

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

بهزاد اسفندیارپور – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
فاطمه دهقان نیری – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
سعیده ابراهیمی – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمان – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

چکیده:

لایههای نازک اکسید روی بر روی زیر لایههای شیشه با روش کند و پاش RF لایه نشانی شده است. لایه نشانی در حضور پلاسمای گاز آرگون با خلوص (۹۹٫۹۹%)و بدون گرمادهی زیر لایهها با تغییر توانRF از ۵۰ تا ۳۵۰انجام شده است. آنالیز پراش اشعه XRD) x ) برای بررسی ساختار بلوری و آنالیز میکروسکوپ الکترونی( SEM)برای بررسی ساختار سطحی لایههای نانو بلوری اکسید روی مورد استفاده قرار گرفته است. اندازة دانههای لایههای اکسید رویاز nm 8 تاnm20 تغییر میکند. استرس مربوط به زمان لایه نشانی لایههای اکسید روی که با توان ۱۵۰ وات لایه نشانی شدهاند نزدیک صفر میباشد همچنین اندازة دانههای اکسید روی مربوط به توان ۱۵۰ وات بیشترین مقدار یعنی حدود ۲۶nm بدست آمده است. طیفXRDوات لایه ۱۰۰ تا ۲۰۰ وات لایه نشانی شده اند، تنها پیک ( ۰۰۲ ) ساختار ورتزایت اکسید روی را نشان میدهد که بیانگر کیفیت بالای بلوری این لایه ها است.