سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

سارا صفا – پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز

چکیده:

در این مقاله به بررسی اکسایتونهای مستقیم و غیر مستقیم در ساختار چاه کوانتومی دوگانه AlxGa1-xN/GaN پرداخته شده است . انرژی بستگی اکسایتونی(Binding Energy) با تغییر پارامترهای موثر در ساختار مانند عرض سد پتانسیل و درصد آلمینیوم نمونه ( عمق چاه ) محاسبه شده است . همچنین اثر میدانالکتریکی روی انرژی بستگی اکسایتونهای این ساختار مطالعه شده است و نتایج محاسبات نشان می دهد با افزایش میدان انرژی بستگی کاهش می یابد که بیانگر تبدیل اکسایتونهای مستقیم به غیر مستیم است .