سال انتشار: ۱۳۸۵

محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

ایرج مرادی قراتلو – آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
رسول اژئیان – آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
کیوان جهانشاهی – آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران
موسی نخعی بدرآبادی – آزمایشگاه لایههای نازک، دانشکده فیزیک دانشگاه علم و صنعت ایران

چکیده:

در این تحقیق چ ندین گیر نده نوری با استفاده از سلنیوم آمورف به روش تبخیر فیزیکی در خلأPVD با ضخامت لایة اکسیدی متفاوت ساخته شد . با رسم منحنـی هـای دشارژ در تاریکی و روشنایی لایههای گیرنده نوری به دست آمده، تأثیر ضخامت لایة اکسید آلومینیوم بر این منحنیها و کیفیت گیرندههای نوری بررسی و تحلیل شد