سال انتشار: ۱۳۹۱
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
تعداد صفحات: ۵
نویسنده(ها):
حمداله صالحی – آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
صغری بهرامی ده توتی – آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،

چکیده:
در این مقاله تأثیرات اندازه و پیوندهای آویزان بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بررسی شده است . محاسبات در چارچوب نظریهی تابعی چگالی و به روش شبه پتانسیل توسط بستهی نرم افزاریEspresso با تقریبLDA انجام شده است . با مقایسهی انرژی تشکیل نانوسیمها، پایداری آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش قطر، چگالی پیوندهای آویزان کمتر و پایداری نانوسیمهابیشتر میشود. همچنین مقدار گاف نواری برای حالت توده و نانوسیمها محاسبه شد. در قطرهای کوچک با افزایش گاف مواجه هستیم، اما در قطرهای بزرگتر روندی نزولی در گافنواری دیده میشود و به مقدار گاف حالت توده همگرا میشود