سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۶

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

اشرف السادات میرکمالی – گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بهشهر،بهشهر، ایران
محمود صابونی – گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود، شاهرود، ایران
امیرمسعود صادقی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود ، بلوار دانشگاه ، شاهرود ، ایران
رزیتسا یاکی موا – انستیتوی فیزیک و تکنولوژی سنجش دانشگاه لینشوپینگ ، لینشوپینگ ، سو

چکیده:

در این مقاله تغییرات میدان مغناطیسی خارجی اعمال شده به دستگاه DC مگنترون، برای انباشت لایه های نازک مس روی شیشه مورد بررسی قرار گرفته است . با استفاده از میکروسکوپ پروپ روبشی ۱ اندازه دانه ها، توپوگرافی وزمختی لایه ها بررسی شدند . ساختار لایه های نازک تهیه شده و اندازه بلورک ها با روش پراش پرتوهای ایکس ۲ تعیین شد . همچنین ضخامت لایه های انباشت شده با کمک روش پس پراکندگی رادرفورد ۳ مورد بررسی قرار گرفت . با استفاده از نتایج حاصل از این آنالیزها ، اندازه بلورک ها و ضخامت لایه ها تعیین شد . آزمایش های انجام شده بیانگر کاهش زمختی و افزایش ضخامت لایه ها همراه با افزایش میدان مغناطیسی وآهنگ انباشت بوده است . همچنین با گرم کردن زیرلایه ها با روش بازپخت، در جهت های ترجیحی (۱۱۱) و (۲۰۰) رشد مشاهده کردیم بعلاوه افزایش اندازه دانه ها و میزان زمختی سطح لایه ها همراه با کاهش ضخامت بعد از بازپخت بوده اند